單晶壓電陶瓷芯片和堆棧

特性

• 25 °C時，整個行程中具有小于3％的遲滯

• 單晶芯片：

• 安裝面尺寸：3.0 mm x 3.0 mm

• 驅(qū)動電壓范圍：0 - 1000 V

• 推薦負載為24 N(5 lbs)

• 裸電極或帶銅箔引腳

• 分立式晶體堆棧：

• 安裝面尺寸：5.0 mm x 5.0 mm

• 驅(qū)動電壓范圍：0 - 500 V

• 推薦負載為64 N(14 lbs)

• 帶引線

• 用于開環(huán)裝置

• 半球端帽和平面端板也可單獨購買

Thorlabs的單晶壓電陶瓷芯片和晶體壓電陶瓷堆棧由鉛基晶體制成，此晶體顯示出高度線性運動，并具有低遲滯和蠕變，因此這些裝置非常適用于開環(huán)應(yīng)用或沒有定位控制的操作。每個晶體的頂部和底部印有電極。單晶芯片可選裸電極或預(yù)安裝銅箔引腳的版本。分立式堆棧由多個單晶芯片和銅板通過環(huán)氧樹脂粘合在一起組成，且堆棧的電極連接有引線。PQ91JKP3芯片和PQ9FC1堆棧帶有預(yù)安裝的平面陶瓷端板。

當預(yù)載最大位移負載時，這些促動器可實現(xiàn)最大位移，下zhi定了每個產(chǎn)品的最大位移負載。每個產(chǎn)品型號的最大位移實際值各不相同，必須通過實驗確定；但是，最大位移始終大于自由行程位移。更多信息請查看工作標簽。

我們的單晶芯片的驅(qū)動電壓范圍為0 - 1000 V，而壓電晶體堆棧的驅(qū)動電壓范圍為0-500 V。每個芯片上的黑點表示正極。每個單晶堆棧都具有一根連接在其正極的紅色引線。

Thorlabs的壓電芯片采用專有人工智能算法進行單獨檢測，以確保我們的壓電芯片、驅(qū)動器和傳感器系列產(chǎn)品具有超高質(zhì)量。

為了適應(yīng)各種負載條件，可以購買額外的平面陶瓷端板或半球陶瓷端帽作為這些芯片的配件。此外，Thorlabs提供錐形尾帽，可兼容直徑為3.0 mm和5.0 mm的球形接觸件。請查看工作標簽，以獲取關(guān)于給壓電陶瓷促動器連接負載、特殊的操作注意事項以及在已知其工作條件時估算這些促動器壽命的數(shù)據(jù)等信息。

我們還提供定制尺寸的單晶壓電芯片。也可以定制兼容真空的芯片和堆棧。

單晶壓電陶瓷芯片和堆棧

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Item #	Info	Displacement (Free Stroke)a,b	Dimensions	Drive Voltage Range	Resonant Frequencya	Load for Maximum Displacementc	Blocking Forceb	External Electrodes	End Plates
PQ91JK		1.2 µm ± 15%	3.0 x 3.0 x 3.0 mm	0 - 1000 V	215 kHz ± 10%	24 N (5 lbs)	60 N (13 lbs)	Screen-Printed Silver	None
PQ91JKP3		1.2 µm ± 15%	3.0d x 3.0 x 4.3 mm	0 - 1000 V	185 kHz ± 10%	24 N (5 lbs)	60 N (13 lbs)	Copper Leads	PKJEP4 (2)

• 無負載

• 1000 V時

• 位移隨負載而變化。當在此負載下使用時，這些芯片可達到最大位移，此位移大于自由行程位移。

• 包含電極的最大外部尺寸為5.5 mm。